支架置入的理想I VUS标准为:支架贴壁良好。支架最小CSA/正常参照血管CSA > 0 ﹒ 8。研究显示,Cypher支架中段较边缘部位I H少,即支架内I H量有从支架中段向支架两端逐渐增加的趋势,称之为支架的“边缘效应”,而在Taxus支架内I H分布是均匀的。研究证实,金属裸支架(BMS)和药物洗脱支架(DES)发生ISR表现不同,且DES支架两端ISR率较高。LSM的发生与支架是否充分扩张相关,其独立预测因素为:支架总长度、急性心肌梗死直接支架治疗和慢性完全闭塞病变。综上所述,I VUS可用于指 ......