表5‐22为典型卤代烷碳的化学位移。与对应烷烃相比,单卤代烷α碳的位移改变与卤素的电负性有关:F、Cl、Br取代使α碳去屏蔽,I取代由于重原子效应使α碳所受屏蔽增加。碳的位移改变随卤素原子体积的增大而减小,这显然是由于γ‐gauche构象的减少所致。 ......