[文献资料]二、记忆的产生

记忆细胞产生期围绕一个中心主题：细胞数量的扩增和逃逸死亡（图8‐。B细胞在特定的环境—生发中心（germinal centre，GC）中发生，要求与T细胞和滤泡树突状细胞（FDCs）相互作用。GC有利于细胞的活化，并通过上调抗凋亡分子拯救细胞过早死亡。对于T细胞，尽管没有特定的环境或相互作用的要求，拯救细胞死亡要求相似的抗凋亡分子。初始T细胞活化通常发生在淋巴结和脾脏的T细胞区（副皮质区、动脉周围淋巴鞘），这是多数扩增期发生的部位。如上所述，如果抗原数量和接触次数决定记忆T细胞发育，似乎不需要特定位点和特定细胞如FDCs。