[生理学]（四）事件相关电位N400

事件相关电位N400 是研究脑语言加工原理常用的ERPs 成分，它首先由Kutas 等于1980年报道。他们令被试者对屏幕上呈现的句子进行认知反应，故意将某些句子最后一个单词错写为歧义词。“这个饼太热不能吃”中的最后一个字“吃”，如果改成“哭”，那么这个“哭”与“吃”相比，就可以诱发出潜伏期在400ms 左右的负向偏转成分，事件相关电位N400。有资料说明后部的皮层‐内侧颞叶系统对于产生N400 具有重要作用。但是，产生N400 的脑机制是很复杂的，因为语言的脑机制本身很复杂。 精神分裂症的事件相关电位N400 研究进展，不如P300 那么顺利，争论之处在于精神分裂症的事件相关电位N400 异常，是由“哭”引起的呢还是由“吃”引起的呢？更可能是两者兼而有之。