[发病机制]5﹒1 电离辐射致染色体畸变类型

电离辐射照射处于休止期（间期）的细胞和照射大部分处于G 1期的增殖细胞会诱发染色体型畸变。在G 1后期和S早期受照射，则出现由染色体型畸变向染色单体型畸变的过渡阶段。这时受到电离辐射照射可引起染色体型畸变。双着丝粒和着丝粒环是电离辐射诱发的特异性标志,是判断辐射损伤程度的最好指标。因此，不难理解，在骨髓细胞中染色体畸变的命运与畸变的类型密切相关。另外，无论在体内或在体外正处于旺盛增殖阶段的细胞（主要是S期和G 2期）受到电离辐射照射时都可以诱发染色单体型畸变。由于人体受到电离辐射照射后从外周血淋巴细胞观察 ......