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[文献资料]二、DBS装置的MRI相容性

随着MRI技术的快速发展和应用,特别是当前DBS技术中超高场强磁共振的应用,磁场的安全性成为一个值得关注的问题。DBS电极在MRI射频磁场中会接收射频能量并产热,进而引起周围脑组织热损伤,这是植入DBS装置的患者在进行MRI扫描时的主要风险。DBS电极在MRI下的发热, MRI所使用的时变的射频磁场会在人体中产生感生电场,而人体组织具有一定的生物电阻,因而会产生热效应,植入装置的存在可能会造成局部电场的集中从而导致发热加剧,尤其是在细长导体的尖端最易产生严重的发热问题,例如DBS电极刺激端。 ......

——《神经调控技术与应用》
书名:《神经调控技术与应用》
栏目:神经调控技术与应用 > 第七篇 神经调控新技术研究进展 > 第三章 脑深部电刺激术研究进展 > 第二节 神经影像学在DBS中的应用和发展
作者:张建国 孟凡刚
参编:孙伯民,张世忠,李路明,冯 涛,张 凯
页码:329-330
版本:1
出版社:人民卫生出版社
出版时间:2016-01-01
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