随着MRI技术的快速发展和应用,特别是当前DBS技术中超高场强磁共振的应用,磁场的安全性成为一个值得关注的问题。DBS电极在MRI射频磁场中会接收射频能量并产热,进而引起周围脑组织热损伤,这是植入DBS装置的患者在进行MRI扫描时的主要风险。DBS电极在MRI下的发热, MRI所使用的时变的射频磁场会在人体中产生感生电场,而人体组织具有一定的生物电阻,因而会产生热效应,植入装置的存在可能会造成局部电场的集中从而导致发热加剧,尤其是在细长导体的尖端最易产生严重的发热问题,例如DBS电极刺激端。 ......