常用的刺激部位为上唇及(或)下唇及舌部等,阳极和阴极之间相距1cm,刺激强度为5~15mA,用脉冲方波刺激,波宽0.05~0.1ms,刺激频率5次/秒,极性交替可减少刺激伪迹。以脑电图国际10/20系统的C5和C6为记录部位,Fz或FpZ为参考电极,分析时间为50ms,检测BTEP的短潜伏期。针电极刺激法的结果与表面电极刺激颏孔或下唇的结果近似。 ......