1989年,Falkenstein等发现,当个体执行有一定时间紧迫感的任务并出现错误的行为反应后,在其头皮会记录到一个事件相关电位的晚负电位成分,于额中央区的波幅最大,他们将其命名为错误负电位(error negativity,Ne)。不久,Gehring等报道了一个与Ne相似的负向事件相关电位成分,并正式命名为错误相关负电位(error‐related negativ ity,ERN)。笔者们的研究也发现:与正常对照组相比,精神分裂症患者的错误相关负电位波幅降低,与ERN电位相对应的脑岛、颞上回、颞中回、顶下小叶等处激活明显低下。
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