A ﹒导管位于His束,V波大A波小。C ﹒ A波约为V波的2倍,H波几乎看不到,为前位法消融部位。ABL:标测消融导管。三度AVB的发生率和消融部位的高低关系密切,总的来讲,如消融部位超过CS口和His电极中点,发生三度AVB的风险显著增加,对于老人、儿童或已经存在房室结前传阻滞等房室传导阻滞高危患者,消融部位最好不超过部位7。7、第8个QRS波群发生VA阻滞或VA分离,发现三度房室传导阻滞后方停止放电(RF OFF),停止放电延迟时间为4.8秒,三度房室传导阻滞持续15秒后消失. ......