18.6 磁共振饱和成像技术

局部饱和技术原理是在成像脉冲施加前，在梯度场的配合下，利用90 °脉冲对某一个或多个选定的区域进行选择性激发，使该选定区域的组织在成像脉冲施加时已经饱和而不能产生MR信号。化学位移饱和技术就是利用这种频率的差异，在信号激发前，预先发射具有高度频率选择性的预饱和脉冲，使一种或几种单一频率的信号被饱和，而只留下感兴趣组织的纵向磁化，这是化学位移成像技术的基本原理。幅度饱和技术是一种选择性饱和技术，它是针对不同组织具有不同的纵向弛豫时间，在180 °磁化反转脉冲作用下，所有组织的纵向磁化都被转移至Z轴负向，脉冲 ......